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住友電工デバイス・イノベーション株式会社
【山梨/GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト(UIターン歓迎)】住友電工グループ 半導体デバイス設計
UIターン歓迎です。GaN HEMT(窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ)のデバイス技術エンジニア。試作デバイスの特性評価とFBを通じプロセス・生産技術者と協議、量産デバイスの特性最大化・歩留改善・製品化の伴走
月給250,000円~400,000円
この求人は職業紹介事業者による紹介案件です
応募情報は職業紹介事業者に送信されます
勤務地
予定勤務地 山梨県中巨摩郡 勤務地 勤務地① 事業所名:山梨事務所 所在地:山梨県 中巨摩郡 昭和町紙漉阿原1000(JR身延線「国母駅」車で約9分) 最寄駅:JR 身延線 国母駅、JR 中央本線 甲府駅、JR 身延線 甲府駅 喫煙環境:屋内全面禁煙 備考:JR身延線「甲府駅」車で約15分 転勤:当面無
仕事内容
企業・求人の特色 ■住友電気工業100%子会社。化合物半導体を材料とするデバイス及びその応用製品の開発・製造・販売を行っている企業。 ■世界トップレベルのシェアの光通信用発光・受光デバイス製品と、無線通信用高出力マイクロ波デバイス製品が強み
企業名 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 求人名 【山梨/GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト(UIターン歓迎)】住友電工グループ 仕事の内容 UIターン歓迎です。GaN HEMT(窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ)のデバイス技術エンジニア。試作デバイスの特性評価とFBを通じプロセス・生産技術者と協議、量産デバイスの特性最大化・歩留改善・製品化の伴走 ■試作デバイスの特性評価(高周波特性、DC特性、信頼性)とフィードバック ■デバイス特性の作り込み・歩留改善に向けたプロセス技術者・生産技術者との協議 ■量産立ち上げ、不具合解析、品質安定化 ■顧客要求仕様に応じたデバイス特性の最適化 募集職種 【山梨/GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト(UIターン歓迎)】住友電工グループ
対象となる方
必要な経験・能力等 ■下記いずれかに該当する10年以上の実務経験をお持ちの方 ・GaN HEMT、GaAs HEMT等の化合物半導体高周波デバイスの設計・開発経験・化合物半導体の結晶成長(MOCVD等)またはプロセス開発の実務経験 ・RFパワートランジスタ(LDMOS、GaN含む)の設計・特性評価の実務経験 ・上記に類する半導体デバイス開発のシニアスペシャリスト経験 【歓迎】・国内外の基地局ベンダー、RFデバイスメーカー、総合電機メーカー等でご活躍されてきた方 ・UIターンで山梨勤務をご希望の方 ・プレイングリーダーとして若手指導のご経験がある方 ・英語または中国語での技術コミュニケーション能力 学歴・資格 学歴:大学院 大学 高専 語学力: 資格:
仕事の特徴
- 業界未経験者歓迎
- 資格取得支援あり
- 在宅OK
- 土日祝休み
給与/待遇
試用期間
待遇・福利厚生
職場環境・雰囲気
配属先情報 電子デバイス事業部 電子デバイス第一開発部
その他
応募情報
採用予定人数
2名
選考プロセス
選考内容 面接回数:2~3回(目安) 筆記試験:有 その他(SPI) 採用人数:2名 求人エントリーにあたって この求人はリクルートエージェント(株式会社インディードリクルートパートナーズ運営)が掲載する求人情報の一部のみの転載です。 ※本ページで応募ボタンをクリック後、リクルートエージェントに新規会員登録またはログインいただき、求人内容を確認後正式な応募手続きをお願いいたします。 ※応募のタイミングによっては本求人は掲載を終了している可能性がございます。あらかじめご承知おきください。
紹介企業情報
会社名
リクルートエージェント
事業内容
職業紹介
所在住所
〒100-6640 東京都千代田区丸の内1-9-2 グラントウキョウサウスタワー
代表者
代表電話番号
0368351111
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月給250,000円~400,000円
就業時間 (1日あたり所定労働時間07時間45分)フレックスタイム制あり(コアタイム:11:00~14:00) 休憩:60分 残業:有 備考:
- 土日祝休み
掲載開始日:2026/09/07
原稿ID:6c00c5628ddfcee6
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