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株式会社デンソー
【愛知/ミライズ】SiC/GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発 半導体デバイス設計
SiC、GaNパワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET、横型GaN-HEMT)のデバイスおよびプロセスに関する研究開発、SiCエピおよびGaNウェハ技術の研究開発をお任せします。
月給275,000円以上
この求人は職業紹介事業者による紹介案件です
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勤務地
予定勤務地 愛知県日進市、愛知県豊田市 勤務地 勤務地① 事業所名:ミライズテクノロジーズ本社 所在地:愛知県 日進市 米野木町南山500-1 最寄駅:名古屋鉄道 名鉄豊田線 米野木駅 徒歩12分 喫煙環境:敷地内禁煙(屋外喫煙可能場所あり) 勤務地② 事業所名:ミライズテクノロジーズ広瀬ラボ 所在地:愛知県 豊田市 西広瀬町桐ヶ洞543 最寄駅: 喫煙環境:屋内全面禁煙 備考: 転勤:当面無
仕事内容
企業・求人の特色 ■「世界初へのこだわり」「グローバル開発体制」「先端研究」を強みとして、モビリティ社会に新しい価値を提供 ■「電動化」「自動運転」「コネクティッド」「非自動車事業(FA/農業)」を注力分野とし更なる事業拡大を推進
企業名 株式会社デンソー 求人名 【愛知/ミライズ】SiC/GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発 仕事の内容 SiC、GaNパワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET、横型GaN-HEMT)のデバイスおよびプロセスに関する研究開発、SiCエピおよびGaNウェハ技術の研究開発をお任せします。 ■パワーデバイスの企画・技術動向調査 ■パワーデバイスのデバイスシミュレーション設計・構造設計・レイアウト設計 ■パワーデバイスのプロセスシミュレーション設計・プロセス要素技術開発 ■パワーデバイスのプロセスインテグレーション・工程設計 ■パワーデバイス試作品のテスト・分析・評価解析 ■パワーデバイス用ウェハ(GaN基板、SiCエピ成長)の技術開発 ■パワーデバイス用加工装置の導入および改造 募集職種 【愛知/ミライズ】SiC/GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発
対象となる方
必要な経験・能力等 【必須】■半導体に関する知識を有すること ■半導体デバイスの設計・評価・プロセスインテグレーション・プロセス加工技術の開発経験(研究開発、量産経験は問いません) 【歓迎】■パワー半導体に関する知識を有すること ■半導体デバイス設計・プロセスインテグレーション・プロセス加工技術の開発経験(3年以上) ■半導体加工設備の導入および改造経験 ■プロジェクトマネージャ、リーダまたはサブリーダの経験者 学歴・資格 学歴:大学院 大学 高専 語学力: 資格:
仕事の特徴
- 業界未経験者歓迎
- 資格取得支援あり
- 在宅OK
- 服装自由
給与/待遇
試用期間
待遇・福利厚生
職場環境・雰囲気
配属先情報 ミライズテクノロジーズ社(トヨタ自動車とデンソー共同出資会社)に入社後すぐに在籍出向いただきます※処遇条件などは変わりなし
その他
応募情報
採用予定人数
1名
選考プロセス
選考内容 面接回数:2回程度(目安) 筆記試験:有 その他(SPI(Web)) 採用人数:1名 求人エントリーにあたって この求人はリクルートエージェント(株式会社インディードリクルートパートナーズ運営)が掲載する求人情報の一部のみの転載です。 ※本ページで応募ボタンをクリック後、リクルートエージェントに新規会員登録またはログインいただき、求人内容を確認後正式な応募手続きをお願いいたします。 ※応募のタイミングによっては本求人は掲載を終了している可能性がございます。あらかじめご承知おきください。
紹介企業情報
会社名
リクルートエージェント
事業内容
職業紹介
所在住所
〒100-6640 東京都千代田区丸の内1-9-2 グラントウキョウサウスタワー
代表者
代表電話番号
0368351111
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月給275,000円以上
就業時間 (1日あたり所定労働時間08時間)フレックスタイム制あり(コアタイム:10:10~14:25) 休憩:60分 残業:有 備考:
掲載開始日:2026/08/07
原稿ID:6fdcc45decc5c1f2
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勤務地
特徴
愛知県
日進市
米野木駅(愛知県)
日進駅(愛知県)
赤池駅(愛知県)
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