- 正社員
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
【山梨/化合物半導体プロセス開発エンジニア】MOCVD・エピタキシャル結晶成長 半導体プロセス設計
化合物半導体光デバイスのプロセス技術開発、特にMOCVD・エピタキシャル結晶成長を中心とするエンジニアを募集。量子井戸構造や三次元構造の成長技術を開発し、光素子設計部と連携し新製品の開発・特性改善を牽引
月給250,000円~350,000円
この求人は職業紹介事業者による紹介案件です
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勤務地
予定勤務地 山梨県中巨摩郡 勤務地 勤務地① 事業所名:山梨事務所 所在地:山梨県 中巨摩郡 昭和町紙漉阿原1000(JR身延線「国母駅」車で約9分) 最寄駅:JR 身延線 国母駅、JR 中央本線 甲府駅、JR 身延線 甲府駅 喫煙環境:屋内全面禁煙 備考:JR身延線「甲府駅」車で約15分 転勤先候補:当初勤務地に加え、関係会社を含む国内外の拠点 転勤:当面無
仕事内容
企業・求人の特色 ■住友電気工業100%子会社。化合物半導体を材料とするデバイス及びその応用製品の開発・製造・販売を行っている企業。 ■世界トップレベルのシェアの光通信用発光・受光デバイス製品と、無線通信用高出力マイクロ波デバイス製品が強み
企業名 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 求人名 【山梨/化合物半導体プロセス開発エンジニア】MOCVD・エピタキシャル結晶成長 仕事の内容 化合物半導体光デバイスのプロセス技術開発、特にMOCVD・エピタキシャル結晶成長を中心とするエンジニアを募集。量子井戸構造や三次元構造の成長技術を開発し、光素子設計部と連携し新製品の開発・特性改善を牽引 ・MOCVD装置を用いたエピタキシャル結晶成長プロセスの開発・最適化 ・量子井戸などの複雑な結晶構造の成長制御 ・平坦成長 → 部分エッチング → 再成長という化合物半導体特有の三次元構造形成プロセス開発 ・スパッタリング、エッチング等の電極形成プロセス技術 ・光素子設計部との連携による、設計起点のプロセス課題解決 募集職種 【山梨/化合物半導体プロセス開発エンジニア】MOCVD・エピタキシャル結晶成長
対象となる方
必要な経験・能力等 【必須】下記いずれかに該当する実務または研究経験をお持ちの方 ■光半導体デバイスの結晶成長またはプロセス開発経験:半導体レーザ、LED、受光素子、光変調器など ■化合物半導体の結晶成長またはウェハプロセス開発経験:InP、GaAs、GaN、SiC等の結晶成長(MOCVD/MBE/HVPE等)またはウェハプロセス開発経験。用途不問(パワー半導体、RFデバイス、化合物太陽電池など) ■研究経験:光通信・光デバイス・化合物半導体のいずれかに関する研究経験(修士・博士論文テーマ、ポスドク経験を含む) 学歴・資格 学歴:大学院 大学 語学力: 資格:
仕事の特徴
- 業界未経験者歓迎
- 資格取得支援あり
- 在宅OK
- 土日祝休み
給与/待遇
試用期間
待遇・福利厚生
職場環境・雰囲気
配属先情報 プロセス開発部(人数:部長含め30名体制) ・第一開発課:16名(山梨4名、横浜12名) ・第二開発課:13名(山梨7名、横浜6名)
その他
応募情報
採用予定人数
1名
選考プロセス
選考内容 面接回数:2~3回(目安) 筆記試験:有 その他(SPI) 採用人数:1名 求人エントリーにあたって この求人はリクルートエージェント(株式会社インディードリクルートパートナーズ運営)が掲載する求人情報の一部のみの転載です。 ※本ページで応募ボタンをクリック後、リクルートエージェントに新規会員登録またはログインいただき、求人内容を確認後正式な応募手続きをお願いいたします。 ※応募のタイミングによっては本求人は掲載を終了している可能性がございます。あらかじめご承知おきください。
紹介企業情報
会社名
リクルートエージェント
事業内容
職業紹介
所在住所
〒100-6640 東京都千代田区丸の内1-9-2 グラントウキョウサウスタワー
代表者
代表電話番号
0368351111
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月給250,000円~350,000円
就業時間 (1日あたり所定労働時間07時間45分)フレックスタイム制あり(コアタイム:11:00~14:00) 休憩:60分 残業:有 備考:
- 土日祝休み
掲載開始日:2026/07/09
原稿ID:dd7811fdda938ef4
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