- 正社員
三菱電機株式会社
伊丹/化合物半導体ウエハプロセスのエピタキシャル成長技術開発/WEB面接可 半導体研究開発
■光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います
月給280,000円~570,000円
この求人は職業紹介事業者による紹介案件です
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勤務地
三菱電機株式会社
兵庫県伊丹市瑞原4丁目1
三菱電機株式会社
予定勤務地 兵庫県伊丹市 勤務地 勤務地① 事業所名:高周波光デバイス製作所 所在地:兵庫県 伊丹市 瑞原4丁目1 最寄駅:JR 福知山線 伊丹駅、阪急電鉄 阪急伊丹線 伊丹駅 喫煙環境:敷地内禁煙(屋外喫煙可能場所あり) 備考:瑞ヶ池(伊丹市営バス)から徒歩5分/総監部前(阪急バス)から徒歩7分 転勤:当面無
仕事内容
企業・求人の特色 ■総合電機メーカーの三菱電機の中で、高速・大容量情報通信に必要不可欠なキーデバイス(高周波/光通信用化合物半導体各種製品)の開発・設計・製造・販売を担う事業所です。
企業名 三菱電機株式会社 求人名 ■伊丹/化合物半導体ウエハプロセスのエピタキシャル成長技術開発/WEB面接可 仕事の内容 ■光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います 【業務詳細】■InP/GaAs/GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長■MOCVD装置を用いたInP/GaAs/GaN 系のエピタキシャル成長■エピ成長条件(温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量)の設定・調整■デバイス仕様に応じたエピ構造の実現(量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御 など) 募集職種 ■伊丹/化合物半導体ウエハプロセスのエピタキシャル成長技術開発/WEB面接可
対象となる方
必要な経験・能力等 【いずれか必須】■工学系修士以上または同等の専門知識・スキルを有する方■化合物半導体(InP, GaAs, GaNなど)の結晶成長・評価経験に関する実務または研究■MOCVD、MBEなどの結晶成長装置の操作・プロセス設計 経験■物性物理、量子力学、電磁気学に関する基礎知識【やりがい】原子オーダーで薄膜を制御するエピタキシャル成長技術は世界トップクラスのシェアを持つ光通信デバイスの性能を支える中核技術であり、「光」を生み出す最上流工程を担う事ができます。成長条件の最適化から量産化まで、自ら設計したプロセスが製品性能に直結し、理論を実装に落とし込む高度なエンジニアリングを実践することができます。 学歴・資格 学歴:大学院 大学 語学力: 資格:
仕事の特徴
- 業界未経験者歓迎
- 土日祝休み
給与/待遇
試用期間
待遇・福利厚生
職場環境・雰囲気
配属先情報 ウエハ製造部 エピ技術課
その他
応募情報
採用予定人数
1名
選考プロセス
選考内容 面接回数:1~2回(目安) 筆記試験:有 採用人数:1名 求人エントリーにあたって この求人はリクルートエージェント(株式会社インディードリクルートパートナーズ運営)が掲載する求人情報の一部のみの転載です。 ※本ページで応募ボタンをクリック後、リクルートエージェントに新規会員登録またはログインいただき、求人内容を確認後正式な応募手続きをお願いいたします。 ※応募のタイミングによっては本求人は掲載を終了している可能性がございます。あらかじめご承知おきください。
紹介企業情報
会社名
リクルートエージェント
事業内容
職業紹介
所在住所
〒100-6640 東京都千代田区丸の内1-9-2 グラントウキョウサウスタワー
代表者
代表電話番号
0368351111
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月給280,000円~570,000円
就業時間 (1日あたり所定労働時間07時間45分)フレックスタイム制あり(コアタイム無) 休憩:45分 残業:有 備考:
- 土日祝休み
掲載開始日:2026/01/14
原稿ID:32068a7e3133e784
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