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三菱ケミカル株式会社
【茨城】次世代パワー半導体GaNの結晶成長技術開発(リーダー候補~リーダー) 半導体研究開発
次世代パワー半導体・窒化ガリウム(GaN)の気相法による結晶成長技術開発を担当。大口径・低欠陥・低抵抗な次世代基板の新製品開発を中心に、既存製品の歩留まり改善やプロセス最適化まで推進します。
月給436,000円~808,000円
この求人は職業紹介事業者による紹介案件です
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勤務地
予定勤務地 茨城県牛久市 勤務地 勤務地① 事業所名:関東事業所 所在地:茨城県 牛久市 東猯穴町1000 最寄駅: 喫煙環境:敷地内禁煙(屋外喫煙可能場所あり) 備考: 転勤:当面無
仕事内容
企業・求人の特色 世界をリードする三菱ケミカルグループ。世界シェアトップクラスのMMAや産業ガスを武器に、モビリティから半導体まで支える国内最大の化学メーカー。安定した経営基盤と、65歳定年制等の充実した福利厚生が魅力です。
企業名 三菱ケミカル株式会社 求人名 【茨城】次世代パワー半導体GaNの結晶成長技術開発(リーダー候補~リーダー) 仕事の内容 次世代パワー半導体・窒化ガリウム(GaN)の気相法による結晶成長技術開発を担当。大口径・低欠陥・低抵抗な次世代基板の新製品開発を中心に、既存製品の歩留まり改善やプロセス最適化まで推進します。 【詳細】■新製品の結晶成長技術開発(大口径化・低欠陥化・低抵抗化を図るプロセス構築)■既存製品の歩留まり改善・品質安定化(原因解析からプロセス改善まで一気通貫対応)■装置・評価仕様検討 【魅力】世界の誰も到達していない技術領域に挑み、自らの開発成果が製品として社会を動かす大きな手応えを得られます。基礎検討から量産化、社内加工・デバイス部門との連携まで広く関われる環境です。 募集職種 【茨城】次世代パワー半導体GaNの結晶成長技術開発(リーダー候補~リーダー)
対象となる方
必要な経験・能力等 【必須】■化合物半導体の結晶成長技術開発、もしくは結晶成長・薄膜成長に関連する技術開発の経験 【歓迎】■GaN(窒化ガリウム)の結晶成長技術開発、ウエハ加工等の経験(即戦力として特に歓迎) 【特徴】国内最大の総合化学メーカー。世界トップ級のGaN技術や医療分野等の多角的な強みを持ち、現在は石油化学事業メインから「グリーン・スペシャリティ」へ転換する歴史的変革期となります。1.4兆円規模の投資を行う成長性もありつつ、手厚い福利厚生が共存。65歳定年制、キャリアチャレンジ制度や勤務地自己申告制度など、ライフプランにあわせて働き方も相談でき、長く安定して働くことのできる環境となります。 学歴・資格 学歴:大学院 語学力: 資格:
仕事の特徴
- 業界未経験者歓迎
- 在宅OK
- 土日祝休み
給与/待遇
試用期間
待遇・福利厚生
職場環境・雰囲気
配属先情報 半導体前工程グループ(風通しが良く活気あるチームです)。フレックスタイム制有り。必要に応じテレワーク利用可。
その他
応募情報
採用予定人数
1名
選考プロセス
選考内容 面接回数:2回程度(目安) 筆記試験:無 採用人数:1名 求人エントリーにあたって この求人はリクルートエージェント(株式会社インディードリクルートパートナーズ運営)が掲載する求人情報の一部のみの転載です。 ※本ページで応募ボタンをクリック後、リクルートエージェントに新規会員登録またはログインいただき、求人内容を確認後正式な応募手続きをお願いいたします。 ※応募のタイミングによっては本求人は掲載を終了している可能性がございます。あらかじめご承知おきください。
紹介企業情報
会社名
リクルートエージェント
事業内容
職業紹介
所在住所
〒100-6640 東京都千代田区丸の内1-9-2 グラントウキョウサウスタワー
代表者
代表電話番号
0368351111
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月給436,000円~808,000円
就業時間 (1日あたり所定労働時間07時間45分)フレックスタイム制あり(コアタイム無) 休憩:60分 残業:有 備考:
- 土日祝休み
掲載開始日:2026/07/24
原稿ID:8a1b7fbb7b212d26
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