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日総工産株式会社

仕事内容

仕事の内容 【半導体物理解析エンジニア】 ✅北海道×正社員 ✅日本発の最先端ロジック半導体メーカーにて物理解析（物理特性解析）業務 ✅年収目安500万以上×5勤2休 ✅各種手当/福利厚生充実 日本発の最先端ロジック半導体メーカーにて、TEM/STEM観察用薄片試料の作成および各種解析支援業務を実行するエンジニアを募集しております。 ─── 担当していただく業務内容 ─── 解析目的やターゲット箇所を明確にした解析依頼書の作成から着手し、FIB（集束イオンビーム）加工装置を駆使した高精度な断面カットおよびTEM/STEM観察用の薄片試料作製（サンプリング）を行います。 FIB加工に伴う事前の試料前処理（カッティング、研磨、コート等）を含めた解析支援業務全般を網羅します。 (1)【具体的な業務】 ・解析目的に応じた適切な解析手法の選定、および構造・欠陥解析用「解析依頼書」の作成・管理 ・FIB（集束イオンビーム）装置を用いた、TEM/STEM観察用の超微細薄片試料（膜厚80nm～50nm以下）のターゲット加工 ・FIB加工に付随する、半導体チップ・ウェハの切断・精密研磨・表面保護膜コートなどの試料前処理および解析支援業務 など (2)【環境・ツール】 対象製品：最先端半導体デバイス（ロジック） 使用ツール：FIB（集束イオンビーム加工装置）、マイクロサンプリングツール、試料前処理装置 など ─── 本ポジションで求められる役割 ─── (1)【短期的】 ・保有するFIB加工スキルと装置特性を早期にマッチングさせ、最先端デバイスの構造に合わせた膜厚80nmの薄片試料作製を安定して再現し、解析プロセスのリードタイム短縮に貢献 (2)【中長期的】 ・膜厚50nm以下の極薄片化技術や、新たな前処理・解析アプローチを確立 ・微細化の極限に挑む開発ラインにおいて、物理構造解析の側面から欠陥原因特定（Root Cause Analysis）および歩留まり向上を牽引 ＝＝＝日総工産より＝＝＝ 弊社では大手半導体・装置・材料メーカー各社との信頼関係を背景に、ご希望の専門技術に携われる環境をご用意しています。 日総工産では、専任サポートスタッフによるバックアップ体制や福利厚生・寮完備、資格取得支援の教育投資など、技術課題の解決やキャリアに真剣に向き合える環境を整備しております。 ※定年は満60歳とする ＜必要な経験・スキル＞ ・集束イオンビーム（FIB：Focused Ion Beam）を用いた、透過電子顕微鏡（TEM）および走査透過電子顕微鏡（STEM）観察用の薄片試料作成実務スキル ・技能レベル：膜厚80nmの薄片試料を再現性高く、問題なく作製できる技術力を有すること ＜職場情報＞ 勤務先は当社のお取引先工場内です。職場には、当社の構内事務所があり社員が常駐しています。 ※雇用契約は日総工産株式会社と結ばれますが、仕事は請負業者の事務所(請負先)で行われるため、勤務先住所は事業所住所とは異なります。正社員雇用のため日総工産株式会社が業務指示の責任を負い、個人が派遣社員として雇用されません。